特許
J-GLOBAL ID：200903044303247516
ドーパント濃度の非接触測定方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-239015
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206243
出願日： 1992年08月14日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウェハのエピタキシャル層内のドーパント濃度を非破壊的に測定する。【構成】 まず、コロナ放電によって半導体ウェハ表面に一時的なP-N接合を形成し、その表面領域を計測する。次に、再度コロナ放電によってP-N接合下の空乏領域を深くした後、光によって空乏層を崩壊させながら表面電位を時間の関数として測定する。空乏層の崩壊に従って逃げる電荷は時間変化に正比例する。全電荷は単位面積及び表面電圧と同じように、空乏層を確立するために使用された最初のコロナ放電から既知なので、ドーパントプロファイルを表面電圧及び単位面積当りの電荷の関数として直接計算することができる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハのエピタキシャル層内のドーパント濃度を測定するための非接触方法であって、コロナ放電によって半導体ウェハの表面に一時的P-N接合を形成する工程と、一時的P-N接合の表面領域を測定する工程と、コロナ放電によって、一時的P-N接合下の空乏領域を深くする工程と、一時的P-N接合の上の半導体ウェハの表面電位を測定しながら、低強度の光を用いて空乏層を崩壊させる工程と、空乏層領域の各垂直点において、表面電圧と単位面積当りの逃げた電荷との関数として、ドーパント濃度を計算する工程と、を含むドーパント濃度の非接触測定方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01N 27/00
, G01N 27/60
