半導体素子のゲート駆動回路

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：永井冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-116040
公開番号（公開出願番号）：特開2003-319638
出願日： 2002年04月18日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】スイッチング損失の増大と素子破壊を防止して安定なスイッチング動作を実現する。【解決手段】ターンオン用スイッチ素子SW1によりターンオン用ゲート抵抗器R1を介して半導体素子Q1のゲートへターンオン用電源Vb1を供給し、半導体素子Q1をターンオンするとともに、ターンオフ用スイッチ素子SW2によりターンオフ用ゲート抵抗器R2を介して半導体素子Q1のゲートへターンオフ用電源Vb2を供給し、半導体素子Q1をターンオフする。

請求項（抜粋）：

ターンオン用スイッチ素子によりターンオン用ゲート抵抗器を介して半導体素子のゲートへターンオン用電源を供給し、前記半導体素子をターンオンする、あるいは、ターンオフ用スイッチ素子によりターンオフ用ゲート抵抗器を介して前記半導体素子のゲートへターンオフ用電源を供給し、前記半導体素子をターンオフする半導体素子のゲート駆動回路において、前記ターンオン用ゲート抵抗器および前記ターンオフ用ゲート抵抗器を前記半導体素子の近傍に配置することを特徴とする半導体素子のゲート駆動回路。

IPC (3件)：

H02M 1/08 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (2件)：

H02M 1/08 A , H01L 27/04 H

Fターム (15件)：

5F038BH02 , 5F038BH04 , 5F038BH12 , 5F038BH15 , 5F038DF01 , 5F038EZ20 , 5H740AA05 , 5H740BA11 , 5H740BB01 , 5H740BC01 , 5H740BC02 , 5H740JA01 , 5H740JB02 , 5H740KK01 , 5H740MM08

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-194605
自己消弧形半導体素子のゲート制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-124686 出願人：富士電機株式会社
電力用半導体スイッチおよび電力変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-002303 出願人：株式会社東芝

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