特許
J-GLOBAL ID：200903044310262334
光電変換装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-054228
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252487
出願日： 1999年03月02日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】 簡易な方法により高抵抗の素子間分離を可能とした、結晶質シリコンを光電変換層に用いた光電変換装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 基板上に、第1の電極層、結晶質半導体層を含む薄膜光電変換ユニット、および第2の電極層を順次形成する工程、および前記第2の電極層に選択的に、波長190〜400nmのレーザを、前記第2の電極層および薄膜光電変換ユニットの一部を選択的に昇華せしめるに十分に高いパワーおよび少ない繰返しパルス数で照射することにより、前記第2の電極層および薄膜光電変換ユニットの一部に分離溝を形成して、素子部と第1の電極取り出し部とに分離する工程を具備することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に、第1の電極層、結晶質半導体層を含む薄膜光電変換ユニット、および第2の電極層を順次形成する工程、および前記第2の電極層に選択的に、波長190〜400nmのレーザを、前記第2の電極層および薄膜光電変換ユニットの一部を選択的に昇華せしめるに十分に高いパワーおよび少ない繰返しパルス数で照射することにより、前記第2の電極層および薄膜光電変換ユニットの一部に分離溝を形成して、素子部と第1の電極取り出し部とに分離する工程を具備することを特徴とする光電変換装置の製造方法
Fターム (11件)：
5F051AA03
, 5F051AA04
, 5F051AA05
, 5F051CB24
, 5F051CB27
, 5F051DA04
, 5F051EA09
, 5F051EA10
, 5F051EA16
, 5F051FA02
, 5F051FA06
