特許

J-GLOBAL ID：200903044313647458

化合物半導体装置

発明者： 浅野 哲郎 ,  榊原 幹人 ,  猪爪 秀行 ,  境 春彦 ,  木村 茂夫会社内
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-308535
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115562
出願日： 2001年10月04日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：

【要約】【課題】 打ち抜きフレームのアイランドに化合物半導体チップを固着し、樹脂モールドしたパッケージ構造は、パッケージサイズの小型化が進まない問題があった。【解決手段】 絶縁基板上にチップを固着し、導電パターンをチップ下から外部接続電極まで延在する放射形状としたCSPとする。チップからポストまでの距離が短くできるので、インダクタンス成分が低減でき、インサーションロス特性が向上する上、コスト削減になる。スイッチ回路装置であれば、RF分をGNDに接続するリードで遮断する構造が実現できるため、アイソレーションも向上し高周波特性が向上する。

請求項（抜粋）：

支持基板となる絶縁基板と、該絶縁基板表面に絶縁性樹脂により固着され、その表面に複数の電極を有する化合物半導体チップと、該絶縁基板表面に設けられ、前記複数の電極と個々に対応する導電パターンと、前記複数の電極と前記導電パターンとを接続する接続手段と、前記導電パターンと対応し、前記絶縁基板を貫通するスルーホールと、該スルーホールと対応し前記絶縁基板の裏面に設けた外部接続電極とを具備することを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/095 ,  H01L 29/812

FI (5件)：

H01L 23/12 501 W ,  H01L 23/12 501 T ,  H01L 29/80 G ,  H01L 29/80 E ,  H01L 27/04 F

Fターム (17件)：

5F038AZ06 ,  5F038CA02 ,  5F038CA09 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ07 ,  5F038EZ20 ,  5F102FA10 ,  5F102GA01 ,  5F102GA17 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GS02 ,  5F102GS09 ,  5F102GT03 ,  5F102GV03