特許
J-GLOBAL ID：200903044313762982
面発光型半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-091802
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284722
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】 シングル横モードで発振し、かつ高い出力のレーザ光を得ることができる面発光型半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 面発光型半導体レーザ100は共振器120を含み、共振器120は下部ミラー102、活性層103、および上部ミラー117が積層されて形成される。上部ミラー117は第1ミラー部114と第2ミラー部108とを含む。反射率調整層104は第1ミラー部114に含まれる部分がブラッグ反射条件を満たす膜厚を有し、第2ミラー部108に含まれる部分が反ブラッグ反射条件を満たす膜厚を有し、第1ミラー部114は第2ミラー部108よりも反射率が大きい。
請求項（抜粋）：
共振器が半導体基板上に垂直方向に形成され、該共振器より該半導体基板に垂直な方向へレーザ光を出射する面発光型半導体レーザであって、少なくとも前記共振器の一部を含む柱状の薄膜堆積体を含み、前記共振器は、下部ミラー、活性層、および上部ミラーが積層されて形成され、前記上部ミラーは、前記柱状の薄膜堆積体の中央部に形成される第1ミラー部と、該第1ミラー部の外周に形成される第2ミラー部と、反射率調整層とを含み、前記反射率調整層は、前記第1ミラー部に含まれる部分がブラッグ反射条件を満たす膜厚を有し、前記第2ミラー部に含まれる部分が反ブラッグ反射条件を満たす膜厚を有し、前記第1ミラー部は、前記第2ミラー部よりも反射率が大きい、面発光型半導体レーザ。
Fターム (14件)：
5F073AA07
, 5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073AB17
, 5F073BA01
, 5F073CA04
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA24
, 5F073DA27
, 5F073DA31
, 5F073EA18
, 5F073EA24
