特許
J-GLOBAL ID：200903044317071658
静電誘導型トランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-245437
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077378
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 高周波特性が良好で、ゲート入力電圧を十分に大きくすることができ、しかも相互コンダクタンスが大きい静電誘導型トランジスタを提供する。【解決手段】 GaAs基板1上に第1のソース領域としてのn+ 型GaAs層2、第2のソース領域としての高電子移動度のn型InGaAs層3、チャネル領域としてのi型AlGaAs層4およびドレイン領域としてのn+ 型GaAs層5を順次成長させ、n型InGaAs層3およびi型AlGaAs層4を所定幅にパターニングし、n+ 型GaAs層5をこれより狭い幅のストライプ形状にパターニングした後、このストライプ形状のn+ 型GaAs層5の両側の部分のi型AlGaAs層4、n型InGaAs層3およびn+ 型GaAs層2にp型不純物としてZnを気相拡散させることによりゲート領域としてのp+ 型領域6を形成し、静電誘導型トランジスタを構成する。
請求項（抜粋）：
第1のソース領域と、上記第1のソース領域上の上記第1のソース領域より電子の移動度が高い第2のソース領域と、上記第2のソース領域上のチャネル領域と、上記チャネル領域上のドレイン領域と、上記チャネル領域に設けられた上記第1のソース領域よりバンドギャップが大きいゲート領域とを有することを特徴とする静電誘導型トランジスタ。
Fターム (20件)：
5F102FB01
, 5F102GB01
, 5F102GB04
, 5F102GC01
, 5F102GC09
, 5F102GD01
, 5F102GJ05
, 5F102GL02
, 5F102GL04
, 5F102GL16
, 5F102GM06
, 5F102GN02
, 5F102GN04
, 5F102GN05
, 5F102GN08
, 5F102GQ03
, 5F102GR07
, 5F102GR17
, 5F102GV01
, 5F102HC01
