特許

J-GLOBAL ID：200903044328475327

半導体レーザの製造方法

発明者： 石橋 明彦 ,  木戸口 勲 ,  大仲 清司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-335712
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188506
出願日： 1992年12月16日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】 高出力で安定に基本横モード発振する半導体レーザの製造方法を提供する。【構成】 n-GaAs基板1上にn-GaAsバッファ層2、n-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層3、Ga0.5In0.5P活性層4、p-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層5、p-Ga0.5In0.5P中間層6、n-GaAs電流狭窄層7を減圧MOVPE法を用いて順次堆積する。次に、p-GaAsコンタクト層8を堆積した後、ドーピングを中止し、アント ゙ーフ ゚GaAsキャップ層9を0.15μmの厚みで堆積する。さらに連続して750°C、76TorrのH2、AsH3混合雰囲気中で30分熱処理する。最後にアント ゙ーフ ゚GaAsキャップ層9をエッチング除去した後、陽電極、陰電極を形成する。これによりp-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層5中のドーパントの活性化が増大し、活性化したドーパントの拡散によってp-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層5中に存在する自然超格子を無秩序化し、そのバンドギャップを均一的に増大できるので、半導体レーザに注入したキャリアを対称性良く活性層に導入することができ、基本横モードの安定性の高い高出力の半導体レーザを得ることができる。

請求項（抜粋）：

第一伝導型の半導体基板上に、第一伝導型の第一クラッド層、活性層、第二伝導型の第二クラッド層を有する半導体レーザにおいて、前記第二クラッド層上部に少なくとも一層以上の第一伝導型又は半絶縁性の第三の半導体層を堆積し、前記第二伝導型の第二クラッド層における不純物を活性化させることを特徴とする半導体レーザの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-071685
  
• 特開平4-206584