固体撮像装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-014513
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206436
出願日： 1992年01月30日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】白キズ不良による歩留まり低下がなく、かつ低い暗電流特性を実現する固定撮像装置を提供する。【構成】固体撮像装置のゲート絶縁膜をシリコン酸化膜5-シリコン窒化膜12-酸化膜13の積層構造に変更し、シリコン窒化膜12の形成領域をポリシリコンゲート電極6の長さより長く、またその幅より広くして、後工程で形成されるゲートバーズビークが原因で発生するシリイコン基板1中の結晶歪をポリシリコンゲート電極6から離して、その結晶歪をフォトダイオード表面のp++型領域9に位置させることにより、結晶歪が原因で対生成により発生する電子をp++層で再結合させる。

請求項（抜粋）：

n型半導体基板上に形成されたp型ウエル領域と、同p型ウエル領域中の基板の主面から拡散形成された第1のn型半導体領域からなる光電変換部と、第1のn型半導体領域内の基板主面から拡散形成されたp型半導体領域と、前記光電変換部から所定寸法で離間した位置にp型ウエル領域中の基板の主面から拡散形成され、信号電荷を受け取り順次転送を行う第2のn型半導体領域とからなる光電変換要素の複数個がマトリックス状に配された光電変換半導体装置において、基板主面上に第1の酸化膜、耐酸化性の膜、第2の酸化膜の順に堆積するか、もしくは第1の酸化膜、耐酸化性の膜の順に堆積し、前記耐酸化性の膜の端部がp型半導体領域上まで延在され、かつゲート電極領域より幅広くなるように形成されたことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/148 , H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 27/14 B , H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-181171
特開平3-190272
特開平3-175675

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