特許

J-GLOBAL ID：200903044329880225

太陽電池の製造方法

発明者： 濱本 哲
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-099872
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298080
出願日： 2002年04月02日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板に半導体不純物を拡散してPN接合部を形成する工程と、これをサンドブラストで部分除去し電気的に分離した接合分離部を形成する工程と、集電極を形成する工程とを有する太陽電池の製造方法では接合分離部が微視的レベルで破壊されることは避けられず、太陽電池全体の特性が低下する問題があった。【解決手段】 半導体基板の表面と表面とを含む全面に半導体不純物を拡散し拡散層と拡散層を被覆する被覆膜とを形成する工程と、半導体基板の裏面の外周部近傍の拡散層を除去加工して表面と裏面とを電気的に分離する工程と、半導体基板を一定時間ウェットエッチング液に浸し、拡散層を除去加工した部分の表層部と被覆膜とをエッチングする工程と、半導体基板の被覆膜を除去し拡散層を露出させる工程と、半導体基板の裏面にBSF層を形成し半導体基板に電極を設置する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板を半導体不純物雰囲気中で熱処理することで前記半導体基板の全面に拡散層と前記拡散層を被覆する被覆膜とを形成する工程と、前記半導体基板の裏面の外周部の前記拡散層を除去して前記半導体基板の表面と裏面とを電気的に分離する接合分離部を形成する工程と、前記半導体基板をウェットエッチング液に浸し、前記接合分離部の表層部をエッチングする工程と、前記半導体基板の前記被覆膜を除去し前記拡散層を露出させる工程と、前記半導体基板の裏面にBSF層を形成し前記半導体基板に電極を設置する工程とを有することを特徴とする太陽電池の製造方法。

Fターム (9件)：

5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051AA16 ,  5F051CB12 ,  5F051CB13 ,  5F051CB20 ,  5F051CB21 ,  5F051DA03 ,  5F051HA03