特許

J-GLOBAL ID：200903044330804460

磁気センサ

発明者： 高田 肇
出願人/特許権者： 矢崎総業株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-358089
公開番号（公開出願番号）：特開2000-180207
出願日： 1998年12月16日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 バイアス磁界を印加することなく、信号磁界に対して抵抗値差を生じさせ、簡単な構成で差動出力を取り出すことができる磁気センサを提供する。【解決手段】 磁気センサは、基板1と、基板1に形成され、基板1の表面に略平行に印加される信号磁界9に対して抵抗値が変化する巨大磁気抵抗素子3とを備える。巨大磁気抵抗素子3は、磁性層15と非磁性層17とが交互に積層された人工格子膜に印加される信号磁界9の変化に対して抵抗値が変化する第1の巨大磁気抵抗素子3aと、第1の巨大磁気抵抗素子3aに直列接続され、磁性層15と非磁性層17の厚みに対して異なる厚みの非磁性層17aとが交互に積層された人工格子膜に印加される信号磁界9の変化に対して抵抗値が変化しない第2の巨大磁気抵抗素子3bとを備える。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板に形成され、前記基板の表面に略平行に印加される信号磁界に対して抵抗値が変化する磁気抵抗手段とを備え、前記磁気抵抗手段は、磁性層と第1の非磁性層とが交互に積層された第1の人工格子膜を有し、第1の人工格子膜に印加される前記信号磁界の変化に対して抵抗値が変化する第1の磁気抵抗素子と、この第1の磁気抵抗素子に直列接続され、前記磁性層と前記第1の非磁性層の厚みに対して異なる厚みの第2の非磁性層とが交互に積層された第2の人工格子膜を有し、第2の人工格子膜に印加される前記信号磁界の変化に対して抵抗値が変化しない第2の磁気抵抗素子と、を備えることを特徴とする磁気センサ。

IPC (2件)：

G01D 5/245 ,  G01R 33/09

FI (3件)：

G01D 5/245 R ,  G01D 5/245 U ,  G01R 33/06 R

Fターム (11件)：

2F077AA43 ,  2F077PP15 ,  2F077TT16 ,  2G017AA01 ,  2G017AB05 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  2G017BA09 ,  2G017BA10