特許
J-GLOBAL ID:200903044334531204

スナバ回路及びこれを用いた電力変換装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山下 一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-236352
公開番号(公開出願番号):特開2007-053839
出願日: 2005年08月17日
公開日(公表日): 2007年03月01日
要約:
【課題】 小型で比較的簡単な構造を有するスナバ回路とこれを用いた電力変換装置を提供する【解決手段】 電力変換用スイッチング素子1のコレクタ11に接続され、このコレクタ11の直近位置に第1の張り出し部2A1を有する第1のブスバー2Aと、前記スイッチング素子のエミッタ12に接続され、このエミッタ12の直近位置に前記第1の張り出し部2A1と平行に重なり合う第2の張り出し部2B1を有する第2のブスバー2Bと、前記第1の張り出し部2A1と前記第2の張り出し部2B1との間に設けられた誘電性フィルム3と、前記第1のブスバー2Aのインダクタンスを増加させるスナバリアクトル形成手段4とによりスナバ回路を構成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
電力変換用スイッチング素子のコレクタに接続され、前記コレクタの直近位置に第1の張り出し部を有する第1のブスバーと、 前記スイッチング素子のエミッタに接続され、前記エミッタの直近位置に前記第1の張り出し部と平行に重なり合う第2の張り出し部を有する第2のブスバーと、 前記第1の張り出し部と前記第2の張り出し部との間に設けられた誘電性フィルムと、 前記第1のブスバーのインダクタンスを増加させるスナバリアクトル形成手段と を具備したことを特徴とするスナバ回路。
IPC (2件):
H02M 1/00 ,  H02M 7/48
FI (2件):
H02M1/00 F ,  H02M7/48 M
Fターム (21件):
5H007AA01 ,  5H007AA03 ,  5H007CA01 ,  5H007CB04 ,  5H007CB05 ,  5H007CC07 ,  5H007FA01 ,  5H007FA13 ,  5H007FA20 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04 ,  5H740AA04 ,  5H740BA11 ,  5H740BB05 ,  5H740BB08 ,  5H740MM03 ,  5H740NN17 ,  5H740NN18 ,  5H740PP01 ,  5H740PP02 ,  5H740PP04
引用特許:
出願人引用 (1件)

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