特許
J-GLOBAL ID：200903044340091054
アクティブマトリクス型液晶表示素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-325892
公開番号（公開出願番号）：特開平9-160014
出願日： 1995年12月14日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 薄膜トランジスタのi型半導体膜に対する紫外線領域〜遠赤外線領域の光の入射を確実に抑制して光リーク電流による薄膜トランジスタの誤動作と液晶表示素子のコントラストの低下を防止する。【解決手段】 対向パネル2おける基板9の上の各画素間の領域に、可視帯域波長の光を吸収し、可視領域での光の透過率が 0.5%以下である材料からなる第1の遮光膜21を形成し、各薄膜トランジスタ7の上にi型半導体膜16のチャンネル領域を覆うように、紫外線領域と、近赤外線〜遠赤外線領域の波長帯域の光を吸収する材料からなる第2の遮光膜22を形成する。
請求項（抜粋）：
透明な基板の上に、複数の画素電極と、これら画素電極に対応する複数の薄膜トランジスタを形成してなる薄膜トランジスタパネルと、透明な基板の上に対向電極を形成してなる対向パネルとを枠状のシール材で接合し、このシール材と前記両パネルとで囲まれた隙間内に液晶を封入してなるアクティブマトリクス型液晶表示素子において、少なくとも前記薄膜トランジスタの半導体膜のチャンネル領域を覆うように、可視帯域波長の光を吸収する材料からなる第1の遮光膜と、紫外線領域および近赤外線〜遠赤外線領域の波長帯域の光を吸収する材料からなる第2の遮光膜と、を形成したことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示素子。
IPC (6件)：
G02F 1/1335 500
, G02B 5/00
, G02B 5/20 101
, G02B 5/22
, G02F 1/136 500
, H01L 29/786
G02F 1/1335 500
, G02B 5/00 B
, G02B 5/20 101
, G02B 5/22
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 619 B
