P形不純物の拡散方法及び半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-087719
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082463
出願日： 1991年03月25日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】半導体の微小な領域に精度よく高濃度にP形不純物の拡散を行う。【構成】半導体層中に選択的に第1のP形の不純物イオンを注入し、P形イオン注入領域12を形成した後、上記のイオン注入領域12を含む半導体層中に第2のP形の不純物を熱拡散して、拡散領域13を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体中にP形不純物を拡散する方法において、半導体基板内に選択的に第1のP形の不純物イオンを注入する工程と、少なくとも前記の第1のP形不純物イオン注入領域を含む半導体基板内に第2のP形の不純物を熱拡散する工程とを含むことを特徴とするP形不純物の拡散方法。

IPC (3件)：

H01L 21/225 , H01L 21/22 , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

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