特許

J-GLOBAL ID：200903044342667050

半導体装置の製造方法

発明者： 井垣 和明
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-184829
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029529
出願日： 1992年07月13日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】ドレイン電界強度を弱めホットキャリアを抑制することを目的としたLDD構造を備えた半導体装置を、従来に比べ簡単化した工程で製造する方法を提供する。【構成】半導体基板1に絶縁膜2、導電性膜3を順に形成し、上記の導電性膜3上にフォトレジストでパターニングする。次に上記の導電性膜3を側壁に傾斜のある形状にドライエッチングしゲート電極3を形成する。次に、上記の半導体基板1に第二拡散層5、第一拡散層7を順に形成し、フォトレジストを除去した後、熱処理を施す。次に層間絶縁膜8、アルミニウム合金を用いた配線9、保護膜を順次形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にゲート電極となる導電性膜を堆積する工程と、前記導電性膜上にレジストをパターニングする工程と、前記レジストをマスクとして前記導電性膜を側壁に傾斜のある形状にドライエッチングする工程と、前記半導体基板に第一拡散層を形成する工程と、前記半導体基板に、第二拡散層を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 U ,  H01L 29/78 301 P