特許
J-GLOBAL ID:200903044346984280

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田治米 登 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-085256
公開番号(公開出願番号):特開平6-275741
出願日: 1993年03月19日
公開日(公表日): 1994年09月30日
要約:
【要約】【目的】 外部からの電磁波ノイズによる半導体装置の誤動作を防止するとともに、半導体装置がその外部に対する電磁波障害の源となることを防止する。更に、半導体装置に高い放熱性を付与する。【構成】 アイランド1上に半導体素子2を配設し、更に樹脂封止することにより得られる半導体装置に対し、封止樹脂6の表面及び/又は内部に電磁波シールド材として導電層7を形成する。この場合、導電層7とアイランド1とを高熱伝導率を達成するように接続することが好ましい。
請求項(抜粋):
アイランド上に配設された半導体素子が樹脂封止されてなる半導体装置において、封止樹脂の表面及び/又は内部に電磁波シールド用の導電層が形成されていることを特徴とする半導体装置。

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