特許

J-GLOBAL ID：200903044355120042

プラズマCVD処理装置のドライクリーニング方法

発明者： 片桐 源一 ,  清水 明夫 ,  佐々木 光夫 ,  辻 直人
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-028574
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090180
出願日： 1992年02月15日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】マイクロ波プラズマCVD処理装置において、装置内部のクリーニングを高速に、かつウエーハステージの,プラズマが直接当たらない部位をも十分クリーニング可能なドライクリーニング方法を提供する。【構成】プラズマ化されるクリーニングガスとしてNF3 などのF化合物を用い、かつクリーニング開始時にウエーハステージ3の温度が十分高くなるまでプラズマをウエーハステージ3に集中させる方法とする。この方法をより効果的にするために、クリーニングガスの圧力は0.1〜50mTorrの低圧とし、ウエーハステージ3へのプラズマ集中は、装置に磁界制御コイル6を付設して磁界をステージに集中させるか、主コイル8の電流を調整しプラズマ室内のECR磁界領域の位置を移動させてプラズマをビーム状に形成することにより実現させる。

請求項（抜粋）：

軸線上にマイクロ波透過窓を備えるとともにガス導入手段を介してプラズマ生成用ガスが導入されるプラズマ生成室と、該プラズマ生成室と同軸に配されプラズマ生成室内にマイクロ波との電子サイクロトロン共鳴磁界領域を形成可能な主コイルとを備え、プラズマ生成室内でプラズマ化されたプラズマ生成用ガスを用いてマイクロ波透過窓と対面するステージに載置された基板上に膜を堆積させるプラズマCVD処理装置における装置内部のクリーニングを、プラズマ生成室にクリーニングガスを導入しプラズマ化して行うドライクリーニングの方法において、クリーニングガスとしてNF3 もしくはF2 , CF4 , C2F6 , SF6 などのF化合物を用い、かつクリーニングの開始時に、前記ステージの温度が十分高くなるまでプラズマを該ステージに集中させることを特徴とするプラズマCVD処理装置のドライクリーニング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-042724
  
• 特開平3-075373
  
• 特開昭61-181534