特許

J-GLOBAL ID：200903044356197774

インシチュ誘電体スタックの製造方法及びそのプロセス

発明者： イボ ラーイマカース ,  クリスタン ジェイ. ウェルクホベン
出願人/特許権者： エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三枝 英二 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-388529
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237243
出願日： 2000年12月21日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】 高品質の誘電体層を形成する有効な方法を提供すること。【解決手段】 多数の逐次プロセスは、枚葉式ウェーハ処理チャンバ内でインシチュ(in situ)状態で実行される。このチャンバは、シングル・パス形式の層状のガス流を示し、安全で清浄な逐次処理を容易にする。さらに、遠隔プラズマ供給源はプロセス・ウィンドウを広げ、等温逐次処理を可能にし、それによって、インシチュステップ間で温度ランプを行うための移行時間が短縮される。例示的なプロセスでは、極めて薄い界面ケイ素酸化物、窒化物、および/または酸窒化物を成長させ、その後、インシチュ状態で窒化ケイ素を付着させる。清浄化、アニール、および電極付着もインシチュ状態で行うことができ、したがって移行時間が短縮されるが、それに伴って反応速度が損なわれることはない。

請求項（抜粋）：

集積されたトランジスタ用のゲート誘電体スタックを形成するためのプロセスであって、枚葉式基板処理チャンバ内に、半導体構造を有する基板を装入すること、前記半導体構造に対して反応性を有する第1のガスにさらすことによって、前記チャンバ内で、前記半導体構造の表面に界面誘電体層を成長させること、および同じチャンバ内で、前記界面誘電体層上に窒化ケイ素層を付着させることを含むプロセス。

IPC (6件)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/34 ,  H01L 29/78 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (7件)：

H01L 21/318 M ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/318 C ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/34 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/10 651