特許
J-GLOBAL ID：200903044356921260
誘電体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-060515
公開番号（公開出願番号）：特開平9-251978
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：
【要約】【課題】 誘電体のケミカルエッチングにおいて、従来のエッチャントでは、基板や電極上に残渣が発生する課題や、パターン再現性に課題を有していた。【解決手段】 誘電体のパターニングを、、フッ化水素酸と酸化剤より構成されるエッチャントによりエッチングした後、還元剤より構成される前処理液、続いて酸より構成される後処理液によりエッチング残渣を除去することを備えており、基板上に金属電極膜を形成する工程、前記金属電極膜上に誘電体膜を形成する工程、前記誘電体膜を前記記載のケミカルエッチング法によりパターニングする工程、前記金属電極膜をエッチングしパターニングした金属電極膜形成する工程を備えている。
請求項（抜粋）：
誘電体のパターニングを、フッ化水素酸と酸化剤より構成されるエッチャントによりエッチングした後、還元剤より構成される前処理液、続いて酸より構成される後処理液によりエッチング残渣を除去することを特徴とする誘電体素子の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/306
, C23F 1/00 104
, C23F 1/16
, H01L 21/28
, H01L 27/10 451
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 21/306 D
, C23F 1/00 104
, C23F 1/16
, H01L 21/28 F
, H01L 27/10 451
, H01L 29/78 371
