特許
J-GLOBAL ID:200903044357461998
低温で導電性ポリチオフェン層を形成するための方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小田島 平吉 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-322544
公開番号(公開出願番号):特開2000-153229
出願日: 1999年11月12日
公開日(公表日): 2000年06月06日
要約:
【要約】【課題】 高温における追加のアニーリング段階なしで導電性ポリマーの層を形成するための方法、そのための水性組成物及び導電性ポリマー層を有するフィルムを提供すること。【解決手段】 -ポリチオフェン、ポリアニオン化合物及びε≧15の誘電率を有する非プロトン性化合物を含有する水性組成物を準備し;-該組成物を物体上に適用して層を形成し;-該層を乾燥して該物体上に導電性ポリマー層を形成する段階を含んでなり、該形成の間、該物体及び該層を100°C未満の温度に保ち、該導電性ポリマー層が最高で2kΩ/平方の抵抗率を有することを特徴とする物体上にポリマー性導電層を形成するための方法。
請求項(抜粋):
-ポリチオフェン、ポリアニオン化合物及びε≧15の誘電率を有する非プロトン性化合物を含有する水性組成物を準備し;-該組成物を物体上に適用して層を形成し;-該層を乾燥して該物体上に導電性ポリマー層を形成する段階を含んでなり、該物体及び該層を100°C未満の温度に保ち、該導電性ポリマー層が最高で2kΩ/平方の抵抗率を有することを特徴とする物体上にポリマー性導電層を形成するための方法。
IPC (7件):
B05D 7/24 302
, B05C 9/14
, B05D 5/12
, B32B 7/02 104
, C09D 5/00
, C09D 5/24
, C09D165/00
FI (7件):
B05D 7/24 302 Y
, B05C 9/14
, B05D 5/12 B
, B32B 7/02 104
, C09D 5/00 A
, C09D 5/24
, C09D165/00
引用特許:
審査官引用 (1件)
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伝導性被覆
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-128804
出願人:バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト
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