特許

J-GLOBAL ID：200903044363346041

半導体素子用の絶縁膜及びその絶縁膜成膜方法

発明者： 向島 美香 ,  楡 孝
出願人/特許権者： 株式会社小松製作所
代理人 (1件)： 木村 高久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-378861
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252226
出願日： 2001年12月12日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】 約2.0以下の比誘電率を有する半導体素子用の絶縁膜及びその絶縁膜成膜方法を提供すること。【解決手段】 半導体素子用の絶縁膜100は、基板60上に凝集体110が堆積され、更に緻密膜120が生成された多層構造で形成されている。絶縁膜100の成膜に際しては、約1KPaの圧力においてレーザアブレーションを実施することにより凝集体110を作製する。次に、約1KPaの圧力から約10Paの圧力に遷移させ、この約10Paの圧力の下で、圧力以外のパラメータ(例えばレーザエネルギー密度)を調整して、レーザアブレーションを実施することにより緻密膜120を作製する。凝集体110及び緻密膜120から構成される多層構造の各層の厚さ、及び各層の厚さの比は、ターゲット70へのレーザ光の照射回数を調整することにより調整する。

請求項（抜粋）：

基板上に成膜される半導体素子用の絶縁膜において、前記基板の成膜する面に対し垂直方向に凝集体と緻密膜とを有する多層構造で形成されていることを特徴とする半導体素子用の絶縁膜。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 14/28 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/316 M ,  C23C 14/28 ,  H01L 21/90 M

Fターム (24件)：

4K029BA46 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA02 ,  4K029DB20 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS10 ,  5F033TT01 ,  5F033TT02 ,  5F033TT03 ,  5F033XX24 ,  5F058BA10 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF17 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ02