特許

J-GLOBAL ID：200903044364004535

イオンビーム照射装置

発明者： 加賀 広靖 ,  岩本 寛 ,  広瀬 博
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-095063
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283073
出願日： 1996年04月17日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】集束イオンビームでは観察不可能なパシベーションに覆われた、または、平坦化デバイスの最下層配線等を、簡便かつ迅速にサブミクロンの高精度で観察及び加工を行う方法を開発する。【解決手段】イオン源からのイオンを多次元的に移動可能な移動機構上に載置されたターゲット上に集束して照射し、照射位置を2次元的に走査するイオンビーム照射機構と、イオンビームの照射により試料上の複数箇所にマーク加工を行い、マークから発生した2次粒子を検出して、検出信号により2次粒子像を形成する2次粒子検出機構とからなるイオンビーム照射装置と、2次粒子像では不足な情報を含んだ異種画像観察系を搭載した装置からなる。

請求項（抜粋）：

イオン源から引き出したイオンを多次元的に移動可能な移動機構上に載置された試料上に集束して照射し、その照射位置を2次元的に走査するイオンビーム照射機構と、前記イオンビームの照射により試料上の複数箇所にマーク加工を行い、前記マークから発生した2次粒子を検出して、その検出信号により2次粒子像を形成する2次粒子検出機構とからなるイオンビーム照射装置において、前記2次粒子像では不足な情報を含んだ異種画像観察系をイオンビーム照射機構と平行に搭載した装置からなるイオンビーム照射装置において、前記2次粒子像では観察することのできない表面下の加工部位の位置情報を含んだ異種画像と前記2次粒子像を調整して重合する重合機構として、異種光学系の間の座標変換を、集束イオンビームで加工したマークを基準座標として行うことを特徴とする簡便かつ迅速にサブミクロンの高精度で観察及び加工を行うことができるイオンビーム照射装置。

IPC (3件)：

H01J 37/30 ,  H01J 37/22 502 ,  H01J 37/22

FI (3件)：

H01J 37/30 Z ,  H01J 37/22 502 A ,  H01J 37/22 502 L