特許
J-GLOBAL ID：200903044366435380
アクティブマトリクス型表示回路およびその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-308684
公開番号（公開出願番号）：特開平10-133233
出願日： 1996年11月04日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型表示回路において、補助容量を得るための構造を提供する。【解決手段】 トップゲイト型薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型表示回路において、ゲイト配線とデータ配線の間の層間絶縁物を薄い窒化珪素膜とポリイミド膜の多層構造とし、補助容量を形成せんとする部分のポリイミドをエッチングし、データ配線の上層にあって、ブラックマトリクスとして機能する導電性被膜とN型もしくはP型にドープされた活性層との間に窒化珪素膜を誘電体とする容量を形成する。
請求項（抜粋）：
トップゲイト型の薄膜トランジスタと、N型もしくはP型の活性層と、ブラックマトリクスとして機能し、一定の電位に保持された導電性被膜と、ゲイト配線およびデータ配線と、前記ゲイト配線と前記データ配線の間にあり、窒化珪素層とポリイミド層を有する第1の層間絶縁物と、前記データ配線と前記導電性被膜の間にある第2の層間絶縁物と、を有するアクティブマトリクス型表示回路において、前記第1の層間絶縁物において、窒化珪素層は、ポリイミド層の下にあり、前記第1の層間絶縁物のポリイミド層および前記第2の層間絶縁物がエッチングされた部分に、前記活性層と前記導電性被膜を両電極とし、少なくとも前記第1の層間絶縁物の窒化珪素層を誘電体とする補助容量が形成されているアクティブマトリクス型表示回路。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 29/78 612 Z
