半導体装置の試験方法および半導体装置の試験装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：工藤実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-225757
公開番号（公開出願番号）：特開2002-040094
出願日： 2000年07月26日
公開日（公表日）： 2002年02月06日
要約：

【要約】【課題】大量生産された半導体装置を試験するときに好適な、より効率的な半導体装置の試験方法を提供する。【解決手段】 (a) 良品である半導体装置についての動作保証温度に関する温度特性65を測定することと、(b) 試験対象である半導体装置75についての温度特性μAを前記動作保証温度に達する以前の複数点で測定することと、(c) 前記(a)の測定結果および前記(b)の測定結果に基づいて、前記試験対象である半導体装置の良否判定を行うこととを備えている。

請求項（抜粋）：

(a) 良品である半導体装置についての動作保証温度に関する電気特性を測定することと、(b) 試験対象である半導体装置についての電気特性を前記動作保証温度に達する以前の複数点で測定することと、(c) 前記(a)の測定結果および前記(b)の測定結果に基づいて、前記試験対象である半導体装置の良否判定を行うこととを備えた半導体装置の試験方法。

IPC (5件)：

G01R 31/26 , G01R 31/30 , H01L 21/66 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (4件)：

G01R 31/26 H , G01R 31/30 , H01L 21/66 H , H01L 27/04 T

Fターム (31件)：

2G003AA00 , 2G003AA07 , 2G003AB05 , 2G003AC03 , 2G003AD06 , 2G003AH00 , 2G032AA00 , 2G032AB01 , 2G032AB02 , 2G032AB13 , 2G032AD01 , 2G032AK11 , 2G032AL00 , 4M106AA04 , 4M106AA07 , 4M106AA08 , 4M106AC01 , 4M106BA14 , 4M106CA04 , 4M106CA31 , 4M106CA70 , 4M106DH02 , 4M106DH14 , 4M106DH60 , 4M106DJ20 , 4M106DJ38 , 5F038DT07 , 5F038DT10 , 5F038DT15 , 5F038DT20 , 5F038EZ20

前のページに戻る