特許

J-GLOBAL ID：200903044369460598

半導体装置

発明者： 佐々木 仁志 ,  大森 誠
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-340111
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188280
出願日： 1992年12月21日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】 実装面積効率を低下させることなく、メモリ容量等の容量を向上させる。【構成】 複数個のリードフレーム2の先端を対向配置した半導体装置用リードフレームと、上記リードフレーム2の先端部の表裏両面に配設され上記リードフレーム2と金属細線3a、3bで電気的に接続された第1と第2の半導体チップ5、6とを備え、上記第1と第2の半導体チップ5、6を上記リードフレーム2の先端部と共に樹脂封止したものである。

請求項（抜粋）：

複数個のリードフレームの先端を対向配置した半導体装置用リードフレームと、上記リードフレームの先端部の表裏両面に配設され上記リードフレームと金属細線で電気的に接続された第1と第2の半導体チップとを備え、上記第1と第2の半導体チップを上記リードフレームの先端部と共に樹脂封止したことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/50 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18