半導体レーザ素子用反射膜及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梶原康稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-365765
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186656
出願日： 1997年12月22日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】信頼性の高い安定した特性が得られるとともに、複数波長のレーザ光を発振するレーザ装置に簡便に形成する。【解決手段】 GaAsレーザ素子基板の共振器端面上に第1層目としてAl2O3膜を、成膜温度130°Cでスパッタ法によって成膜し、膜厚を光学膜厚でλ/16に制御する。次に、第2層目のα-Si:H膜を、成膜温度200°Cでスパッタ成膜する。第2層膜の光学膜厚は、λ/8に制御する。次に、第3層目のAl2O3膜を、成膜温度130°Cでスパッタ成膜する。第3層膜の光学膜厚は、λ/16に制御する。次に、第4層目のα-Si:H膜を、成膜温度200°Cでスパッタ成膜する。第4層膜18の光学膜厚は、λ/8に制御する。次に、第5層目のAl2O3膜を、成膜温度130°Cでスパッタ成膜する。第5層膜の光学膜厚は、λ/16に制御する。

請求項（抜粋）：

半導体レーザ素子の共振器端面に形成される積層構造の反射膜において、第1の温度で形成される第1の光学膜厚の第1の膜と、第2の温度で形成される第2の光学膜厚の第2の膜を、交互に積層したことを特徴とする半導体レーザ素子用反射膜。

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