特許
J-GLOBAL ID：200903044377204584
磁気抵抗効果素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-135196
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183212
出願日： 1992年05月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【構成】少なくとも表面部が立方晶系構造を有する単結晶体で形成され、その単結晶体の(110)面が主面を構成する基板の主面上に、磁性金属層と非磁性金属層とが磁気抵抗効果を有するように積層された積層体を形成し、磁気抵抗効果素子を得る。【効果】磁気抵抗効果が大きくかつ飽和磁界が小さく、小さな磁界で大きな磁気抵抗変化率が得られる磁気抵抗効果素子が提供される。
請求項（抜粋）：
少なくとも表面部が立方晶系構造を有する単結晶体で形成され、その単結晶体の(110)面が主面を構成する基板と、この基板の主面上に設けられ、磁性金属層と非磁性金属層とが磁気抵抗効果を有するように積層された積層体とを具備することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G01D 5/12
, G01R 33/06
, G11B 5/39
