特許

J-GLOBAL ID：200903044378294609

ポジ型フォトレジスト組成物

発明者： 水谷 一良 ,  宇野 誠次
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-246734
公開番号（公開出願番号）：特開2002-062654
出願日： 2000年08月16日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイスの製造において、矩形形状のパターンを形成するフォトレジストを与え、ラインパターンのエッジラフネスが少なく、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物をを提供すること。【解決手段】 特定の構造単位を有する酸分解性ポリシロキサンを含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。

請求項（抜粋）：

下記(I)で示される構造単位を有する酸分解性ポリシロキサンを含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】L1は-A-OCO-、-A-COO-、-A-NHCO-、-A-NHCOO-、-A-NHCONH-、-A-CONH-、-A-OCONH-、-A-S-から選ばれる2価の連結基を表す。Aは単結合、アリーレン基、または単環式あるいは有橋式の脂環構造である2価の連結基を表す。M1は、メチリディン、3価の単環式若しくは有橋式の脂環基、又は3価の芳香環基を表す。nは1〜6の整数を表す。Qは、酸で分解してカルボン酸を発生する基を表す。R'〜R'''は、それぞれ独立にアルキル基、ハロアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、トリアルキルシリル基、トリアルキルシリルオキシ基から選ばれる基を示す。

IPC (8件)：

G03F 7/039 601 ,  C08G 77/22 ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/08 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/027

FI (8件)：

G03F 7/039 601 ,  C08G 77/22 ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/08 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (51件)：

2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB33 ,  2H025CB34 ,  2H025CB43 ,  2H025CC03 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J002CP071 ,  4J002EA059 ,  4J002EB029 ,  4J002EB116 ,  4J002ED029 ,  4J002ED038 ,  4J002EE039 ,  4J002EH039 ,  4J002EH048 ,  4J002EH058 ,  4J002EL069 ,  4J002EN007 ,  4J002EP019 ,  4J002ER027 ,  4J002ES006 ,  4J002EU027 ,  4J002EU029 ,  4J002EU047 ,  4J002EU127 ,  4J002EU137 ,  4J002EU147 ,  4J002EU186 ,  4J002EU226 ,  4J002EV209 ,  4J002EV236 ,  4J002EV296 ,  4J002GP03 ,  4J002HA05 ,  4J035BA12 ,  4J035CA071 ,  4J035CA101 ,  4J035CA182 ,  4J035CA212 ,  4J035CA25M ,  4J035CA25U ,  4J035LB16