特許
J-GLOBAL ID：200903044384266994
III-V族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板及びその形成法、及びIII-V族化合物半導体薄膜形成法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-273703
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104189
出願日： 1992年09月17日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体基板本体上にIII-V族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板を、容易に、形成できるようにする。【構成】 半導体基板本体1上に、第1のIII-V族化合物半導体薄膜2を介してまたは介することなしに、上記半導体基板本体または上記第1のIII-V族化合物半導体薄膜を外部に臨ませる窓を有する第2のIII-V族化合物半導体薄膜3を形成し、次に、熱酸化処理によって、上記半導体基板本体または上記第1のIII-V族化合物半導体薄膜の表面に、上記窓に臨む領域において、上記半導体基板本体または上記第1のIII-V族化合物半導体薄膜の材料の酸化物でなる酸化物層8〜10を、III-V族化合物半導体薄膜選択成長用マスク7として形成し、次に、上記第2のIII-V族化合物半導体薄膜を、上記半導体基板本体または上記第1のIII-V族化合物半導体薄膜上から除去する。
請求項（抜粋）：
半導体基板本体と、その半導体基板本体上にIII-V族化合物半導体薄膜を介してまたは介することなしに形成され且つ上記半導体基板本体または上記III-V族化合物半導体薄膜を外部に臨ませる窓を有するIII-V族化合物半導体薄膜選択成長用マスクとを有するIII-V族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板において、上記III-V族化合物半導体薄膜選択成長用マスクが、上記半導体基板本体または上記III-V族化合物半導体薄膜の表面に形成された、上記半導体基板本体または上記III-V族化合物半導体薄膜の材料の酸化物でなる酸化物層でなることを特徴とするIII-V族化合物半導体薄膜選択成長用半導体基板。
IPC (2件)：
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