特許
J-GLOBAL ID：200903044384861310
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-022198
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218024
出願日： 1992年02月07日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に係り,特に,配線の形成方法に関し,エッチング効率及びエッチング特性を改善する方法を目的とする。【構成】 半導体基体1上に堆積するアルミニウム及び銅を主体とする導電膜3をエッチングして配線3aを形成するに際し,燐酸,酢酸及び硝酸を含むエッチャントにより導電膜3をエッチングするように構成する。また,エッチャントは燐酸15容に対して 0.1容以上1容以下の濃硝酸を含むように構成する。また,エッチャントの温度を40°C以上60°C以下とするように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基体(1) 上に堆積するアルミニウム及び銅を主体とする導電膜(3) をエッチングして配線(3a)を形成するに際し,燐酸,酢酸及び硝酸を含むエッチャントにより該導電膜(3) をエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/306
, H01L 21/308
