特許
J-GLOBAL ID:200903044386275850

導電体材料

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 後藤 洋介 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-221273
公開番号(公開出願番号):特開平5-041108
出願日: 1991年08月07日
公開日(公表日): 1993年02月19日
要約:
【要約】【目的】 表面実装デバイス内での導電体材料において,Cu,Ni金属を導電体に用いた場合においても,デバイスの特性の劣化を防止することができる導電体材料を提供する。【構成】 表面実装デバイスに用いられる導電体材料である。この導電体材料は,Al,Si,Zr,Be,V,Gaのうち少なくとも一種の元素を0.01wt%〜5wt%含む。そして,残部としてCu,Ni,Ag及びこれらの合金のうちから選択された少なくとも一種を含む。
請求項(抜粋):
表面実装デバイスに用いられる導電体材料であって,Al,Si,Zr,Be,V,Gaのうち少なくとも一種の元素を0.01wt%〜5wt%と残部としてCu,Ni,Ag及びこれらの合金のうちから選択された少なくとも一種とを含むことを特徴とする導電体材料。
IPC (2件):
H01B 1/02 ,  H01B 1/22
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開昭62-030165
  • 特開昭50-093819
  • 特開昭49-104821
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