半導体基材の作製方法および半導体基材

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-207662
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100680
出願日： 1999年07月22日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】多孔質の孔サイズ分布を均質化する。【解決手段】シリコン基材1表面に、原子ステップ11とテラス12からなる表面を形成した後、それを消失させることなく多孔質化したのち、非多孔質半導体単結晶膜3を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基材に原子ステップとテラスからなる表面を形成し、該表面を多孔質化したのち、非多孔質膜を形成することを特徴とする半導体基材の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 , H01L 21/306 , H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/02 B , H01L 27/12 B , H01L 21/306 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

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