特許

J-GLOBAL ID：200903044396993425

半導体装置およびその製造方法

発明者： 相原 克好
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-089190
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186321
出願日： 1996年04月11日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】 拡散層領域にイオン注入による結晶欠陥を形成することなく、しかも拡散層領域の接触抵抗を増大せずに微細化に適した電界効果型トランジスタを形成すること。【解決手段】 ゲート電極4とマスク酸化膜5を形成後、拡散層領域15上のマスク酸化膜5を除去した後、活性層領域18である拡散層領域15表面の清浄化処理を行い、連続して非晶質シリコン膜6を形成する。さらに、不純物イオンを打ち込み、低温で熱処理をし、拡散層領域15表面とゲート電極側壁の非晶質シリコン膜を再結晶化し、単結晶シリコン膜に変換した後に、ゲート電極4上の非晶質シリコン膜6を除去し、層間絶縁膜を形成し、熱処理を行う半導体装置およびその製造方法。

請求項（抜粋）：

素子形成領域に設けるゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に設けるゲート電極と、ゲート電極の側壁と上部とに設けるマスク酸化膜と、ゲート電極の側壁と拡散層領域に設ける再結晶化膜と、ゲート電極に整合する位置の拡散層領域にソース電極とドレイン電極とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 616 M