特許
J-GLOBAL ID：200903044411377000
エッチング処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
合田 潔 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-154683
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112213
出願日： 1993年06月25日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 ハンダバンプ端子の周辺部分に傾斜したプロフィルを生成するための方法を提供する。【構成】 接点パッドに傾斜したエッジプロフィルを生成するためのエッチング処理方法は、基板を提供するステップと、基板上にパッシベーティング層を形成するステップと、第1金属層をパッシベーティング層に付着するステップと、第2金属層を第1金属層上に形成するステップと、第2金属層上にハンダバンプを形成することによって、第2金属層をハンダで湿して第1及び第2金属層をハンダに付着するステップと、第1金属層よりも幅方向の範囲に大きく第2金属層を除去することによって、ハンダバンプをマスクとして使用して、第1及び第2金属層に傾斜したエッジプロフィルをエッチングするステップと、から成る。
請求項（抜粋）：
接点パッドにおいて傾斜したエッジプロフィルを生成するためのエッチング処理方法であって、基板を提供するステップと、前記基板上にパッシベーティング層を形成するステップと、第1金属層を前記パッシベーティング層に付着するステップと、第2金属層を前記第1金属層上に形成するステップと、前記第2金属層上にハンダバンプを形成することによって、前記第2金属層を前記ハンダで湿して、前記第1金属層及び前記第2金属層を前記ハンダに付着するステップと、前記第1金属層よりも幅方向の範囲に大きく前記第2金属層を除去することによって、前記ハンダバンプをマスクとして使用して、前記第1金属層及び前記第2金属層に前記傾斜したエッジプロフィルをエッチングするステップと、から成るエッチング処理方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 F
, H01L 21/92 C
