特許

J-GLOBAL ID：200903044411869574

集積素子

発明者： 佐野 栄一
出願人/特許権者： 国立大学法人 北海道大学
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-014866
公開番号（公開出願番号）：特開2006-203082
出願日： 2005年01月21日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：

【課題】 受動素子と接地面との間の寄生容量による受動素子の特性劣化を低減でき、高性能化できる集積素子を実現する。【解決手段】 本発明の集積素子11は、要素インダクタ31の、シリコン基板12に面する側に、要素インダクタ31と絶縁された第2の配線層23が設けられ、第2の配線層23の、シリコン基板12に面する側に、第2の配線層23と絶縁された第1の配線層25が設けられ、第1の配線層25の、第2の配線層23に面する側に、両端がそれぞれ第2の配線層23と第1の配線層25とに接続された遮断用インダクタ32が設けられることにより、第2の配線層23と第1の配線層25とで構成される遮断用キャパシタ28と、遮断用インダクタ32とで、共振周波数を有する遮断部が構成され、使用される動作周波数が、該遮断部の共振周波数近傍に設定されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成される受動素子を備えた集積素子において、 上記受動素子の、基板に面する側に、上記受動素子と絶縁された受動素子側電極が設けられ、 上記受動素子側電極の、基板に面する側に、上記受動素子側電極と絶縁された基板側電極が設けられ、 上記基板側電極の、上記受動素子側電極に面する側に、両端がそれぞれ上記受動素子側電極と基板側電極とに接続された遮断用インダクタが設けられることにより、 上記受動素子側電極と基板側電極とで構成される遮断用キャパシタと、上記遮断用インダクタとで、共振周波数を有する遮断部が構成され、 上記受動素子に対して使用される動作周波数が、上記遮断部の共振周波数近傍に設定されていることを特徴とする集積素子。

IPC (2件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (1件)：

H01L27/04 L

Fターム (7件)：

5F038AV06 ,  5F038AZ01 ,  5F038AZ02 ,  5F038AZ04 ,  5F038BH19 ,  5F038CD18 ,  5F038EZ20