特許
J-GLOBAL ID：200903044412105713
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-341762
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160342
出願日： 1991年12月02日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】 容量を構成する穴の表面積を増大せしめ、より容量値の大きい容量を小面積で半導体基体内に得る。【構成】 半導体基体1の表面の一部に多孔質形状の穴5を設け、該穴5に絶縁層6を介して導電材7を埋め込む。
請求項（抜粋）：
半導体基体の表面の一部に多孔質形状の穴を有し、該穴に絶縁層を介して導電材が埋め込まれている半導体装置。
IPC (2件)：
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