特許
J-GLOBAL ID：200903044413301486
窒化物半導体レーザ素子及びその共振器の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-275220
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116232
出願日： 1995年10月24日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【目的】 基板上に窒化物半導体がLDの構造となるように積層されたウェーハから、窒化物半導体の共振器の作製方法を提供して、レーザ発振可能なレーザ素子を実現する。【構成】 スピネル基板上に窒化物半導体を積層した後、その基板を切断して、その切断面を共振器とすることにより、共振器面の凹凸が少なく、窒化物半導体層の割れ、欠けの少ないレーザ素子を得る。
請求項（抜粋）：
基板上に窒化物半導体が積層されて、対向する窒化物半導体端面を共振器とする窒化物半導体レーザ素子において、前記基板がスピネルよりなり、さらに前記共振器はスピネル基板に積層された窒化物半導体ウェーハが切断された切断面であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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