特許

J-GLOBAL ID：200903044413301486

窒化物半導体レーザ素子及びその共振器の作製方法

発明者： 小崎 徳也 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-275220
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116232
出願日： 1995年10月24日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【目的】 基板上に窒化物半導体がLDの構造となるように積層されたウェーハから、窒化物半導体の共振器の作製方法を提供して、レーザ発振可能なレーザ素子を実現する。【構成】 スピネル基板上に窒化物半導体を積層した後、その基板を切断して、その切断面を共振器とすることにより、共振器面の凹凸が少なく、窒化物半導体層の割れ、欠けの少ないレーザ素子を得る。

請求項（抜粋）：

基板上に窒化物半導体が積層されて、対向する窒化物半導体端面を共振器とする窒化物半導体レーザ素子において、前記基板がスピネルよりなり、さらに前記共振器はスピネル基板に積層された窒化物半導体ウェーハが切断された切断面であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-305257   出願人：旭化成工業株式会社
• 特開昭49-053388