特許

J-GLOBAL ID：200903044418760349

エッチング後処理方法

発明者： 斉藤 剛 ,  吉開 元彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立テクノエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-224787
公開番号（公開出願番号）：特開平8-085887
出願日： 1994年09月20日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的はインラインアッシングにより被エッチング材としてWを用いた単層膜あるいは積層膜のエッチング処理後のレジスト及び付着物除去を簡略化し、他装置によるレジスト除去及び湿式洗浄処理を省略又は簡略化する後処理方法を提供することにある。【構成】エッチング処理されたウェハは、図示を省略した真空搬送装置により図1の後処理室に搬送される。後処理室では、ガス流量制御弁2によって制御された後処理用ガスを後処理室3に導入し、圧力調整弁5によって処理室内の圧力を調整する。この状態でマイクロ波発生器6により発信されたマイクロ波により後処理用ガスがプラズマ化され、レジストと付着物を同時に除去する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に設けた酸化膜上の被エッチング材料であるタングステン(W)膜のエッチング処理後、真空搬送装置により後処理室に搬送されたウエハに対し、レジストと付着物とを同時にマイクロ波プラズマによるドライプラズマプロセスにより除去する工程を有することを特徴とするエッチング後処理方法。

IPC (2件)：

C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-154336
  
• 特開平4-087332
  
• 特開平3-016126