特許
J-GLOBAL ID：200903044422819692
半導体装置製造用研磨剤及び該研磨剤の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-286599
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121412
出願日： 1997年10月20日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 酸化剤や化学試薬の添加により研磨粒子の凝集や沈降が起こらず、また長期間保存しても研磨剤として物性上安定なため、研磨時に研磨粒子を再分散させる必要がない上に安定した研磨特性が得られ、被研磨表面に傷の発生がなく、研磨粒子が樹脂であるため、研磨後に酸素プラズマ等で燃焼させることにより、被研磨膜表面から完全に除去することが可能である、などの特徴を有しており、さらに実際の半導体装置製造に必要な研磨速度を発現することができ、また傷やディッシング、残留粒子のない研磨膜表面が得られるため、研磨粒子の残留による信頼性の低下や製品歩留まりの低下等の半導体装置製造における不良を引き起こすことがない半導体装置製造用研磨剤、及び該研磨剤の製造方法を提供する。【解決手段】 ビニル化合物重合体樹脂粒子を含有し、かつ乳化剤及び分散剤のいずれをも含有しない水性エマルジョンからなる半導体装置製造用研磨剤、及び、乳化剤及び分散剤のいずれをも用いることなくビニル化合物を乳化重合する上記の半導体装置製造用研磨剤の製造方法。
請求項（抜粋）：
ビニル化合物重合体樹脂粒子を含有し、かつ乳化剤及び分散剤のいずれをも含有しない水性エマルジョンからなる半導体装置製造用研磨剤。
IPC (4件)：
H01L 21/304 321
, B24B 57/02
, C08L 57/00
, C09K 3/14 550
H01L 21/304 321 P
, B24B 57/02
, C08L 57/00
, C09K 3/14 550 K
