特許
J-GLOBAL ID：200903044427853546
増幅回路付き磁気センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-046377
公開番号（公開出願番号）：特開平10-239410
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 簡単な構成でInSbホール素子の温度特性を補正し、良好な温度特性すなわち、小さな温度依存性を持つ、高温になっても消費電流の増加しない、高性能の増幅回路付き磁気センサを実現する。【解決手段】 演算増幅回路5の増幅率をInSbホール素子4の内部抵抗と演算増幅回路5のフィードバック抵抗6,7との比とすることにより、増幅後の出力の温度依存性をゼロもしくは小さくする。
請求項（抜粋）：
化合物半導体薄膜からなる磁気センサ部と、該磁気センサ部で電気的出力として検出した磁気信号を増幅する演算増幅回路を有する信号処理回路とを備え、前記演算増幅回路の入力端に前記磁気センサ部の出力端を直結して、当該演算増幅回路の増幅率を前記磁気センサ部の内部抵抗と当該演算増幅回路のフィードバック抵抗との比とすることを特徴とする増幅回路付き磁気センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01R 33/02 X
, G01R 33/06
