特許

J-GLOBAL ID：200903044447024023

光電変換素子及び光受信器

発明者： 岡本 浩二 ,  山中 辰己 ,  藤井 義磨郎
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-108056
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299489
出願日： 1999年04月15日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】後工程のアセンブリが容易に行える構成の光電変換素子とその製造方法、及び光受信器を提供する。【解決手段】 支持基板上に、裏面側が支持基板と接するように半導体層が形成され、入射された光信号を電気信号に変換する光電変換領域の半導体層にPIN構造のフォトダイオードを有する光電変換素子において、半導体層の光電変換領域における表面側の表層部に第1導電型不純物をドープして形成された表面層と、半導体層の光電変換領域における裏面側の表層部に第2導電型不純物をドープして形成された裏面層と、半導体層の光電変換領域を囲む領域に、裏面層と接続されると共に表面層と離隔するように第2導電型不純物をドープして形成された周辺導電層と、半導体層の表面側に位置すると共に、表面層と周辺導電層にそれぞれ接続するように形成された電極と、を備えることにより、電極のコンタクトを同一面とすることができ、後工程のアセンブリを容易にできる。

請求項（抜粋）：

支持基板上に、裏面側が当該支持基板と接するように半導体層が形成され、入射された光信号を電気信号に変換する光電変換領域の前記半導体層にPIN構造のフォトダイオードを有する光電変換素子において、前記半導体層の前記光電変換領域における表面側の表層部に第1導電型不純物をドープして形成された表面層と、前記半導体層の前記光電変換領域における前記裏面側の表層部に第2導電型不純物をドープして形成された裏面層と、前記半導体層の前記光電変換領域を囲む領域に、前記裏面層と接続されると共に前記表面層と離隔するように第2導電型不純物をドープして形成された周辺導電層と、前記半導体層の前記表面側に位置すると共に、前記表面層と前記周辺導電層にそれぞれ接続するように形成された電極と、を備え、前記支持基板は、前記半導体層の前記裏面層が露出するように前記光電変換領域に相当する部分が除去されていることを特徴とする光電変換素子。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  G02B 6/42 ,  H01L 31/0232

FI (3件)：

H01L 31/10 A ,  G02B 6/42 ,  H01L 31/02 C

Fターム (36件)：

2H037AA01 ,  2H037BA11 ,  2H037DA03 ,  2H037DA14 ,  2H037DA17 ,  5F049MA04 ,  5F049MB03 ,  5F049NA18 ,  5F049NA19 ,  5F049NB01 ,  5F049PA09 ,  5F049PA10 ,  5F049PA14 ,  5F049PA20 ,  5F049QA06 ,  5F049QA14 ,  5F049QA20 ,  5F049SS03 ,  5F049SS07 ,  5F049SZ13 ,  5F049TA01 ,  5F049TA14 ,  5F088AA03 ,  5F088AB03 ,  5F088BA15 ,  5F088BA18 ,  5F088BB01 ,  5F088CB09 ,  5F088CB10 ,  5F088CB14 ,  5F088DA17 ,  5F088GA04 ,  5F088GA09 ,  5F088HA13 ,  5F088JA01 ,  5F088JA14