特許

J-GLOBAL ID：200903044454729091

半導体ウェーハの加工取り代の測定方法およびその装置

発明者： 若原 浩 ,  木本 勉 ,  池内 隆啓
出願人/特許権者： 三菱住友シリコン株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-198656
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017444
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェーハの加工取り代を高精度に管理する半導体ウェーハの加工取り代の測定方法およびその装置を提供する。【解決手段】 シリコンウェーハWの面取り部に、深さ測定用のスケール穴S1,S2を形成し、その後、シリコンウェーハWの面取り部に所定の加工を施す。そして、この加工の前後において、シリコンウェーハWのスケール穴S1,S2の深さを測定する。次いで、この深さの差から、その加工の取り代を算出する。これにより、従来では困難とされていたシリコンウェーハWの高精度な加工取り代の管理を行うことができる。

請求項（抜粋）：

加工取り代を伴う加工を施す前の半導体ウェーハの被加工取り代部に、底面を有する深さ測定用のスケール穴を形成する工程と、この加工前のスケール穴の深さを測定する工程と、上記加工を半導体ウェーハに施す工程と、加工後の上記スケール穴の深さを測定する工程と、上記加工前のスケール穴の深さから上記加工後のスケール穴の深さを減算して上記加工取り代を求める工程とを備えた半導体ウェーハの加工取り代の測定方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 621 ,  B24B 9/00 601 ,  B24B 49/12

FI (3件)：

H01L 21/304 621 E ,  B24B 9/00 601 H ,  B24B 49/12

Fターム (12件)：

3C034BB93 ,  3C034CA01 ,  3C034CB01 ,  3C034DD01 ,  3C034DD10 ,  3C049AA02 ,  3C049AC02 ,  3C049BA07 ,  3C049BC02 ,  3C049CA01 ,  3C049CB01 ,  3C049CB03