特許

J-GLOBAL ID：200903044460602150

超小型電子回路基板の改良された洗浄方法

発明者： スーザン・コーアン ,  エマニュエル・アイ・クーパー ,  クラウス・ペナー ,  デーヴィッド・エル・ラス ,  カマレシュ・ケイ・スリヴァスタナ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション ,  シーメンス・アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-015406
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242107
出願日： 1998年01月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 低いメガソニック出力レベル、低い温度および非常に低い化学薬品濃度での超小型電子回路デバイスの効率的な洗浄方法を提供する。【解決手段】 この方法は、プロセス温度において溶液がガスで部分飽和されるような洗浄溶液中のガス濃度レベルを確保することによって、超小型電子回路デバイスのメガソニック支援洗浄の有効性を制御する。ガス濃度は全プラント・レベルで、あるいは好ましくは使用地点で制御することができる。後者の場合、一方は真空脱気水、他方はガス飽和水という2つの水供給入力が提供される。その場合、所望のガス濃度のプロセス水は2つの供給源からの水を適切な比率で混合することによって得られ、その結果得られる混合物がウエハ洗浄槽に供給される。

請求項（抜粋）：

ガスを含む洗浄溶液を提供するステップと、プロセス温度で前記洗浄溶液中で基板を洗浄するステップとを含み、前記洗浄溶液が前記ガスで部分的に飽和されていることを特徴とする、超小型電子回路デバイスのメガソニック支援洗浄の有効性を制御する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/304 341 T ,  H01L 21/304 341 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-091922