特許

J-GLOBAL ID：200903044463282261

半導体光デバイス及びその製造方法

発明者： 村上 隆志 ,  後藤 勝彦
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-359673
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196809
出願日： 1992年12月22日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 段差がない平坦面上に、レーザ出射端面側が薄く、レーザ内部が厚い層厚に形成された活性層を有する半導体レーザ及びその製造方法を得る。【構成】 GaAs基板1上の該GaAs基板1上に形成されるレーザ共振器の内部に位置する領域に、2つのストライプ状のSiO2 膜9を互いに一定間隔を空けて平行に形成した後、原子層エピタキシーモードの有機金属気相成長法によりAlGaAsクラッド層2aを形成し、次いで、通常モードの有機金属気相成長法によりAlGaAs活性層30a(端面近傍),30b(レーザ内部)を形成し、更に、原子層エピタキシーモードの有機金属気相成長法によりAlGaAsクラッド層4a、GaAsクラッド層5aを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の所定部分に、該半導体基板上に形成されるレーザ共振器の光の導波方向に沿う2つのストライプ状のSiO2 膜またはSiN膜を所定間隔を空けて互いに平行に形成し、この状態で上記半導体基板上に少なくとも活性層を含む多層構造の半導体層を有機金属気相成長法によりエピタシキャル成長して上記レーザ共振器を形成する半導体レーザの製造方法において、上記多層構造の半導体層の内、その層内に層厚差を生じさせたくない層を、原子層エピタキシーモードで成長することを特徴とする半導体レーザの製造方法。