特許

J-GLOBAL ID：200903044470194866

フラッシュメモリ装置と該プログラム方法及びメモリシステム

発明者： 安 世 鎭 ,  全 台 根
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-193570
公開番号（公開出願番号）：特開2008-034089
出願日： 2007年07月25日
公開日（公表日）： 2008年02月14日
要約：

【課題】プログラムの実行がフェイルになった時に外部の制御なしに再プログラムの動作ができるフラッシュメモリ装置及びプログラム方法を提供する。【解決手段】本発明のフラッシュメモリ装置のプログラム方法は、選択された行のメモリセルをロードされたデータにプログラムする段階と、選択された行のメモリセルが正しくプログラムされたか否かを判別する段階と、判別の結果がプログラムフェイルになった時にフラッシュメモリ装置の内部に貯蔵された再プログラムの動作のオン/オフの状態を表すフラグ情報によって再プログラムの動作を決定する段階と、フラグ情報が再プログラムの動作のオンの状態を表す時に外部の制御なしにロードされたデータを他の行のメモリセルに再プログラムする段階を含む。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

行と列で配列されたメモリセルのアレイを含むフラッシュメモリ装置をプログラムする方法に於いて、 選択された行のメモリセルをロードされたデータでプログラムする段階、前記選択された行のメモリセルが正しくプログラムされたか否かを判別する段階、前記判別の結果がプログラムフェイルと決定された時に前記フラッシュメモリ装置の内部に貯蔵された再プログラムの動作のオン/オフの状態を表すフラグ情報によって再プログラムの動作を決定する段階、前記フラグ情報が前記再プログラムの動作のオンの状態を表す時に外部の制御なしに前記ロードされたデータで他の行のメモリセルに再プログラムする段階をもつことを特徴とするプログラム方法。

IPC (1件)：

G11C 16/02

FI (3件)：

G11C17/00 601E ,  G11C17/00 601T ,  G11C17/00 611Z

Fターム (13件)：

5B125BA01 ,  5B125CA08 ,  5B125CA24 ,  5B125DB11 ,  5B125DD09 ,  5B125DE08 ,  5B125DE11 ,  5B125DE19 ,  5B125EA10 ,  5B125EE19 ,  5B125EF02 ,  5B125EK01 ,  5B125FA01