特許

J-GLOBAL ID：200903044475092360

半導体装置及びその点検方法

発明者： 保川 彰夫 ,  本部 光幸
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-303653
公開番号（公開出願番号）：特開2002-119043
出願日： 2000年10月03日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】残存寿命を正確に評価することができる半導体装置及びその点検方法を提供することにある。【解決手段】インバータ140のコントロールユニット142は、IGBT素子141の熱抵抗を測定する。センタコンピュータ200は、測定された熱抵抗に基づいて、残存寿命を評価し、この残存寿命の評価結果に基づいて、半導体装置の交換の要否を連絡する。

請求項（抜粋）：

半導体素子を有する半導体装置において、上記半導体素子の熱抵抗を測定する測定部を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H02M 1/00 ,  H02M 7/48

FI (2件)：

H02M 1/00 B ,  H02M 7/48 M

Fターム (21件)：

5H007AA05 ,  5H007AA06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB04 ,  5H007CB05 ,  5H007DB02 ,  5H007DB12 ,  5H007DC08 ,  5H007FA09 ,  5H007HA04 ,  5H740AA08 ,  5H740BA11 ,  5H740BB05 ,  5H740BB09 ,  5H740BB10 ,  5H740MM00 ,  5H740MM08 ,  5H740MM11 ,  5H740NN17 ,  5H740PP01 ,  5H740PP05