特許
J-GLOBAL ID：200903044475735490
多結晶シリコンの破砕方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大家 邦久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-234138
公開番号（公開出願番号）：特開平7-061808
出願日： 1993年08月26日
公開日（公表日）： 1995年03月07日
要約：
【要約】【構成】 熱CVD法によって棒状に析出成長した多結晶シリコンの破砕方法であって、多結晶シリコン表面に、その軸方向または径方向から高密度レーザ光を局所的に短時間照射し、この熱衝撃によって表面に生じたクラックを内部歪みによって多結晶シリコン内部に進行させて破砕することを特徴とする多結晶シリコンの破砕方法。【効果】 多結晶シリコンが破砕工具や装置から汚染される虞がない。破断面が滑らかであり、微粉に砕けることがなく、所望の大きさに破砕できる。従って、洗浄工程が不要であり、製品検査や包装などの後処理が大幅に簡略化できる。多結晶シリコンの大きさに制限されずに実施でき、破砕作業を自動化することもできる。
請求項（抜粋）：
熱CVD法によって棒状に析出成長した多結晶シリコンの破砕方法であって、多結晶シリコン表面に、その軸方向または径方向から高密度レーザ光を局所的に短時間照射し、この熱衝撃によって表面に生じたクラックを内部歪みによって多結晶シリコン内部に進行させて破砕することを特徴とする多結晶シリコンの破砕方法。
IPC (2件)：
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