特許
J-GLOBAL ID：200903044476212653
発光ダイオードチツプの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青木 秀實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-321355
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129659
出願日： 1991年11月07日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】 従来、発光ダイオードをGaAs基板上に発光層を含む各層をエピタキシャル成長させ、前記GaAs基板を除去して表面、裏面に電極を形成してチップとして製作する場合、AlGaAs層に電極を直接作成することは接触抵抗を高くすることになるので、前記GaAs基板を大部分除去し、薄いGaAs層が残るように加工していたが、均一に薄いGaAs層を残すことは困難であるので、これを改善する。【構成】 予めp型GaAs基板の上にp型AlGaAs層とp型GaAs層を形成してその上に連続的発光層を含む各層を形成し、前記p型GaAs基板、p型AlGaAs層をエッチクングにより除去し、裏面に露出する薄いp型GaAs層にオーミック電極を形成し、電極以外の部分をエッチングにより除去する。
請求項（抜粋）：
p型GaAs基板上に連続してp型AlGaAs層、p型GaAs層、p型AlGaAs層、AlGaAs発光層、n型AlGaAs層をエピタキシャル成長した後、前記p型GaAs基板を選択エッチングにより除去し、さらに該基板に連続するp型AlGaAs層を選択エッチングにより除去した後、該エッチングにより露出したp型GaAsの一部にオーミック電極を形成し、該p型GaAs層の電極以外の部分を選択エッチングにより除去することを特徴とする発光ダイオードチップの製造方法。
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