特許
J-GLOBAL ID：200903044479739717
マルチビーム半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-072758
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235486
出願日： 1992年02月20日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 各単体レーザエレメント間の熱干渉の影響を低減し、チップの昇温を防ぎ、かつその温度を一定に保てるような高性能のマルチビーム半導体レーザ装置を容易に得ることを目的とする。【構成】 複数の単体レーザエレメント11,12,...,13を互いに所定の距離を隔ててモノリシックに集積してなるマルチビーム半導体レーザチップ1と、その上面に互いに所定の距離を隔てて設けられた複数のペルチェ素子エレメント41を有するサブマウント2とを備え、サブマウント2上にペルチェ素子エレメント41を介してマルチビーム半導体チップ1をジャンクションアップ組立する。
請求項（抜粋）：
複数の単体レーザエレメントを互いに所定の距離を隔ててモノリシックに集積してなるマルチビーム半導体レーザチップと、その上面に互いに所定の距離を隔てて設けられた複数のペルチェ素子エレメントを有するサブマウントとを備え、上記サブマウント上に上記複数のペルチェ素子エレメントを介して上記マルチビーム半導体レーザチップをジャンクションアップ組立してなることを特徴とするマルチビーム半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 23/38
, H01S 3/25
