特許

J-GLOBAL ID：200903044483120462

半導体装置およびその製造方法

発明者： 寺田 和弘
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-081644
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284020
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子の電極とバンプ電極とを接続する配線部分の断線の防止。CSP型半導体装置の製造コストの低減。【解決手段】 主面に複数の電極を有する半導体素子と、少なくとも前記電極が設けられた領域を除く領域に接着形成される絶縁体と、前記絶縁体上に設けられる複数の導体パッドと、前記電極と前記導体パッドを接続する導電性のワイヤと、前記導体パッド上に固定されるバンプ電極と、前記各バンプ電極の一部を突出させるように前記半導体素子の主面側全体を覆うように設けられる絶縁性の保護体とを有する。前記絶縁体は絶縁性樹脂フィルムで形成されている。

請求項（抜粋）：

主面に複数の電極を有する半導体素子と、少なくとも前記電極が設けられた領域を除く領域に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられる複数の導体パッドと、前記電極と前記導体パッドを接続する導電性のワイヤと、前記導体パッド上に固定されるバンプ電極と、前記各バンプ電極の一部を突出させる状態で前記半導体素子の主面側全体を覆うように設けられる絶縁性の保護体とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/60 301

FI (3件)：

H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 301 A