特許
J-GLOBAL ID：200903044483976294
多結晶シリコン薄膜及び該薄膜を用いたトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保田 耕平 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-034410
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085264
出願日： 1991年02月28日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 ガラス基板上に結晶の連続性が保たれ、アモルファス領域が形成されない多結晶シリコン薄膜を形成する。【構成】 ガラス基板1上に酸化セリウム膜層2を形成し、その上に多結晶シリコン薄膜3を成長させるようにしたものであり、酸化セリウムは結晶成長し易いとともに、結晶の格子定数がシリコンの格子定数に近いため、酸化セリウム膜層上にシリコンをヘテロエピタキシャル成長させて多結晶シリコン膜を形成することができる。この多結晶シリコン膜は結晶の連続性が良いので、トランジスタに応用した場合に活性領域の薄膜化を図ることができ、漏れ電流の低減化等電気特性を向上をさせることができる。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上に酸化セリウム膜層、多結晶シリコン薄膜が順次積層されていることを特徴とする多結晶シリコン薄膜。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, H01L 21/205
